高景深光刻机
用于4英寸、6英寸和8英寸Si、蓝宝石、SiC、GaN等圆形衬底，适用于低端泛半导体应用。
| 功能 |
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| 解析度 |
0.6 µm |
| 工艺能力 |
2.0~0.6 µm |
| 数值孔径 |
0.16 |
| 缩小倍率 |
1:1 |
| 焦深(UDOF) (0.6 µm胶)
|
≥3.0 µm |
| 标准曝光场 |
≥30 x 15 mm |
| - 最大长方形 |
31.8 x 11.4 mm |
| - 最大正方形 |
15.5 x 15.5 mm |
| 投影物镜畸变(100%) |
≤100 nm |
| 对准精度(MVS) (100%) |
≤90 nm |
| 硅片表面光强 |
>1200 mW/cm² |
| 曝光波谱(LED) |
360-370 nm (i-line) |
用于8英寸和12英寸矽、EMC、玻璃和其他材料的圆形和方形衬底，适用于FIWLP/FOWLP和FOPLP先进封装应用。
| Features |
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| 解析度 |
0.6 µm |
| 工艺能力 |
2.0~0.6 µm |
| 数值孔径 |
0.16 |
| 缩小倍率 |
1:1 |
| 焦深(UDOF) (2 µm胶)
|
≥±5 µm |
| 标准曝光场 |
44 x 26.7 mm |
| - 最大长方形 |
55 x 28 mm |
| - 最大正方形 |
N/A |
| 投影物镜畸变(100%) |
≤120 nm |
| 对准精度(MVS) (100%) |
≤200 nm, mean + 3σ |
| 硅片表面光强 |
2800 mW/cm²(ghi) |
| 曝光波谱(LED) |
350-450 nm (ghi-line) |
